RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
32
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
32
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
3023
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link