RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
85
Autour de 80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
85
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
1118
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link