RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
24
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
24
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2462
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link