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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
33
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
33
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2987
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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