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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2732
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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