RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
40
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2204
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link