RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2489
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link