RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2790
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link