RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
73
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
73
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
1843
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link