RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Comparez
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Note globale
Corsair VS1GB800D2 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VS1GB800D2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,361.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,680.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,361.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
460
2658
Corsair VS1GB800D2 1GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link