RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Comparez
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Note globale
Corsair VS1GB800D2 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VS1GB800D2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,361.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,680.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,361.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
460
2658
Corsair VS1GB800D2 1GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link