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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparez
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Note globale
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VS2GB1333D4 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1947
3784
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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