Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

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Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 27
    Autour de 7% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    19.1 left arrow 12.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    16.2 left arrow 7.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.9 left arrow 19.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.9 left arrow 16.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1947 left arrow 3784
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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