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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Comparez
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Note globale
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VS2GB1333D4 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1947
3560
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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