RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Comparez
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Note globale
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
51
Autour de -155% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,839.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,246.9
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,839.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
721
3244
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link