RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Comparez
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Note globale
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
29
Autour de -26% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
23
Vitesse de lecture, GB/s
19.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
16.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3920
2867
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link