RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de 13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2852
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link