RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
76
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
76
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
1809
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link