RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
34
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2913
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link