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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
3341
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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