RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
86
Autour de 60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
86
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
1469
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link