RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2968
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link