RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
3572
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link