RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2236
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link