RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
4084
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link