RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
52
Autour de 44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
52
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2472
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link