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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation 16GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2163
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
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