RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2672
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link