RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de -16% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2989
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link