RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2238
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link