RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
3649
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link