RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2831
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link