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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2831
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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