RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
52
Autour de 44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
52
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2390
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link