RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de 47% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
45
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2723
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link