RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2656
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link