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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2586
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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