RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3898
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link