RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
96
Autour de 56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
96
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
4.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
1062
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link