RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3756
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link