RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3098
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link