RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3312
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link