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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
42
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2821
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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