RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
42
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2326
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link