RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
42
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3512
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link