RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
8.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2079
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link