RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3094
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link