RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
1851
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link