RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
42
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2470
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link