RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
42
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
4240
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link