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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Note globale
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
55
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
55
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2424
2699
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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