RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
50
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
50
Vitesse de lecture, GB/s
17.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
14.7
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3705
2512
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link