RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
26
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
19
Vitesse de lecture, GB/s
17.9
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
14.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3705
3220
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link